Inna
GAN041-650WSBQ Tranzystor N-JFET/N-MOSFET x1szt
391,27 zł
Darmowa dostawa
erli.pl Zobacz w sklepie Opis
Producent = NEXPERIA; Montaż = THT; Obudowa = TO247, SOT429; Napięcie dren-źródło = 650V; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = 33,4A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 35m?; Typ tranzystora = N-JFET/N-MOSFET; Moc rozpraszana = 187W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 22nC; Technologia = GaN; Rodzaj tranzystora = kaskodowy, HEMT; Prąd drenu w impulsie = 240A