IRFP1405PBF Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = TO247AC; Napięcie dren-źródło = 55V; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = 110A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 5,3m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 310W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 180nC; Technologia = HEXFET®; Rodzaj kanału = wzbogacany
