FQD12N20LTM Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = DPAK; Napięcie dren-źródło = 200V; Prąd drenu = 5,7A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,32?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 55W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 21nC; Technologia = QFET®; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V
