IRLR2905ZTRPBF Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = SMD; Obudowa = DPAK; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Napięcie dren-źródło = 55V; Rodzaj opakowania = rolka; Rezystancja w stanie przewodzenia = 13,5m?; Ładunek bramki = 35nC; Prąd drenu = 43A; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±16V; Technologia = HEXFET®; Moc rozpraszana = 110W; Właściwości elementów półprzewodnikowych = logic level; Prąd drenu w impulsie = 240A
