FDV304P Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = SOT23; Napięcie dren-źródło = -25V; Napięcie bramka-źródło = ±8V; Prąd drenu = -0,46A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 2?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 0,35W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Cena jednostkowa = Nie; Właściwości elementów półprzewodnikowych = logic level; Ładunek bramki = 1,5nC; #Akcje #promocyjne = aac_202202; Rodzaj kanału = wzbogacany
