CSD19533Q5AT Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = TEXAS INSTRUMENTS; Montaż = SMD; Obudowa = VSONP8; Napięcie dren-źródło = 100V; Prąd drenu = 100A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 7,8m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 96W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Wymiary = 5x6mm; Ładunek bramki = 27nC; Technologia = NexFET™; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V
