IXBH42N170A Tranzystor IGBT
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = IXYS; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Napięcie kolektor-emiter = 1,7kV; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 21A; Prąd kolektora w impulsie = 265A; Czas załączania = 33ns; Czas wyłączania = 308ns; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 357W; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = wysokonapięciowa; Ładunek bramki = 188nC; Technologia = BiMOSFET™
