PSMN4R6-60BS,118 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = NEXPERIA; Montaż = SMD; Obudowa = D2PAK, SOT404; Napięcie dren-źródło = 60V; Prąd drenu = 100A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 8,6m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 211W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 70,8nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu w impulsie = 565A
