STGW60H65DFB Tranzystor IGBT
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = STMicroelectronics; Montaż = THT; Obudowa = TO247-3; Napięcie kolektor-emiter = 650V; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 60A; Prąd kolektora w impulsie = 240A; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 375W; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = integrated anti-parallel diode; Ładunek bramki = 306nC
