FDG6304P Tranzystor P-MOSFET x2
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = SC70-6; Napięcie dren-źródło = -25V; Prąd drenu = -0,41A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 1,9?; Typ tranzystora = P-MOSFET x2; Moc rozpraszana = 0,3W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 1,5nC; Technologia = PowerTrench®; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±8V
