FDN304P Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = SOT23; Napięcie dren-źródło = -20V; Napięcie bramka-źródło = ±8V; Prąd drenu = -2,4A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 100m?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 0,5W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Cena jednostkowa = Nie; Ładunek bramki = 20nC; #Akcje #promocyjne = aac_202202; Technologia = PowerTrench®; Rodzaj kanału = wzbogacany
