IXTP44P15T Tranzystor P-MOSFET x1szt
Opis
Producent = IXYS; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Czas gotowości = 140ns; Napięcie dren-źródło = -150V; Napięcie bramka-źródło = ±15V; Prąd drenu = -44A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 65m?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 298W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 175nC; Technologia = TrenchP™; Rodzaj kanału = wzbogacany
