STP20NM50FD Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = STMicroelectronics; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Napięcie dren-źródło = 500V; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu = 14A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 250m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 192W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 53nC; Technologia = FDmesh™; Rodzaj kanału = wzbogacany; Prąd drenu w impulsie = 80A
