NTHD3100CT1G Tranzystor N/P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = ChipFET; Napięcie dren-źródło = 20/-20V; Prąd drenu = 3,9/-4,4A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 115/110m?; Typ tranzystora = N/P-MOSFET; Moc rozpraszana = 3,1W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 7,4nC; Rodzaj tranzystora = para komplementarna; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±12/±8V; Prąd drenu w impulsie = 12A
