SI3585CDV-T1-GE3 Tranzystor N/P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = TSOP6; Napięcie dren-źródło = 20/-20V; Prąd drenu = 3,1/-1,7A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 78/316m?; Typ tranzystora = N/P-MOSFET; Moc rozpraszana = 0,9/8W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 4,8/9nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±12V
