IXTT50P10 Tranzystor P-MOSFET x1szt
Opis
Producent = IXYS; Montaż = SMD; Polaryzacja = unipolarny; Typ tranzystora = P-MOSFET; Rezystancja w stanie przewodzenia = 55m?; Rodzaj opakowania = tuba; Napięcie dren-źródło = -100V; Ładunek bramki = 140nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Prąd drenu = -50A; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Obudowa = TO268; Moc rozpraszana = 300W; Czas gotowości = 180ns
