DMP45H4D9HJ3 Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = DIODES INCORPORATED; Montaż = THT; Obudowa = TO251; Napięcie dren-źródło = -450V; Prąd drenu = -3A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 4,9?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 41W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 13,7nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu w impulsie = -22,4A
