IRFP9140NPBF Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES Montaż = THT Obudowa = TO247AC Napięcie dren-źródło = -100V Prąd drenu = -21A Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,117? Typ tranzystora = P-MOSFET Moc rozpraszana = 120W Polaryzacja = unipolarny Rodzaj opakowania = tuba Ładunek bramki = 64,7nC Technologia = HEXFET® Rodzaj kanału = wzbogacany Napięcie bramka-źródło = ±20V
