IXTP3N100D2 Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = IXYS; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Czas gotowości = 17ns; Napięcie dren-źródło = 1kV; Prąd drenu = 3A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 5,5?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 125W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 1,02µC; Rodzaj kanału = zubożany
