IRFB11N50APBF Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = VISHAY; Montaż = THT; Obudowa = TO220AB; Napięcie dren-źródło = 500V; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu = 7A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 520m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 170W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 52nC; Rodzaj kanału = wzbogacany
