IPP60R125CPXKSA1 Tranzystor N-MOSFET (1szt.)
Opis
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = THT; Obudowa = PG-TO220-3; Napięcie dren-źródło = 600V; Prąd drenu = 25A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,125?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 208W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Technologia = CoolMOS™ CP; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V
