NTH4L040N120SC1 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Producent = ONSEMI; Montaż = THT; Obudowa = TO247-4; Napięcie dren-źródło = 1,2kV; Prąd drenu = 41A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 56m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 160W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = wyprowadzenie Kelvina; Ładunek bramki = 106nC; Technologia = SiC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = -15...25V; Prąd drenu w impulsie = 232A
