SI7655ADN-T1-GE3 Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = PowerPAK® SO8; Napięcie dren-źródło = -20V; Prąd drenu = -40A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 3,6m?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 36W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 225nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±12V; Prąd drenu w impulsie = -100A
