SIRA10DP-T1-GE3 Tranzystor N-MOSFET TrenchFET 30V 60A Idm 140A (x1szt)
Opis
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = PowerPAK® SO8; Napięcie dren-źródło = 30V; Prąd drenu = 60A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 5m?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 26W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Cena jednostkowa = Nie; Ładunek bramki = 51nC; Technologia = TrenchFET®; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = -16...20V; Prąd drenu w impulsie = 140A
