SQ2389ES-T1_GE3 Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = SOT23; Napięcie dren-źródło = -40V; Prąd drenu = -4,1A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 169m?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Zastosowanie = branża motoryzacyjna; Moc rozpraszana = 1W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 12nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu w impulsie = -16A
