SI2347DS-T1-GE3 Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = SOT23; Napięcie dren-źródło = -30V; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Prąd drenu = -5A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 42m?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 1,1W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Cena jednostkowa = Nie; Ładunek bramki = 22nC; #Akcje #promocyjne = aac_202202; Rodzaj kanału = wzbogacany; Prąd drenu w impulsie = -20A
