FMM50-025TF Tranzystor N-MOSFET x2
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = IXYS; Montaż = THT; Obudowa = ISOPLUS i4-pac™ x024a; Struktura półprzewodnika = podwójna szeregowa; Czas gotowości = 84ns; Napięcie dren-źródło = 250V; Prąd drenu = 30A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 60m?; Typ tranzystora = N-MOSFET x2; Moc rozpraszana = 125W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Ładunek bramki = 78nC; Technologia = HiPerFET™, Trench; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu w impulsie = 130A
