DG120X07T2 Tranzystor IGBT
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD.; Montaż = THT; Obudowa = TO247PLUS; Napięcie kolektor-emiter = 650V; Napięcie bramka - emiter = ±20V; Prąd kolektora = 120A; Prąd kolektora w impulsie = 360A; Czas załączania = 282ns; Czas wyłączania = 334ns; Typ tranzystora = IGBT; Moc rozpraszana = 893W; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = integrated anti-parallel diode; Ładunek bramki = 0,86µC
