SQ2351ES-T1_GE3 Tranzystor P-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Obudowa = SOT23; Napięcie dren-źródło = -20V; Napięcie bramka-źródło = ±12V; Prąd drenu = -1,8A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 115m?; Typ tranzystora = P-MOSFET; Moc rozpraszana = 2W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Cena jednostkowa = Nie; Ładunek bramki = 5,5nC; #Akcje #promocyjne = aac_202202; Rodzaj kanału = wzbogacany
