2SK3799(Q,M) Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = TOSHIBA; Montaż = THT; Obudowa = TO220FP; Napięcie dren-źródło = 900V; Napięcie bramka-źródło = ±30V; Prąd drenu = 8A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 1?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 50W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = tuba; Właściwości elementów półprzewodnikowych = ESD protected gate; Ładunek bramki = 60nC; Rodzaj kanału = wzbogacany
