IRF840SPBF Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = VISHAY; Montaż = SMD; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Napięcie dren-źródło = 500V; Obudowa = D2PAK; Rezystancja w stanie przewodzenia = 850m?; Rodzaj opakowania = tuba; Prąd drenu = 5,1A; Ładunek bramki = 63nC; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Moc rozpraszana = 125W; Prąd drenu w impulsie = 32A
