IPD060N03LGATMA1 Tranzystor N-MOSFET
Opis
Zakup dotyczy = 1 szt.
Producent = INFINEON TECHNOLOGIES; Montaż = SMD; Typ tranzystora = N-MOSFET; Polaryzacja = unipolarny; Napięcie dren-źródło = 30V; Rezystancja w stanie przewodzenia = 6m?; Prąd drenu = 43A; Moc rozpraszana = 56W; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V; Technologia = OptiMOS™ 3; Obudowa = PG-TO252-3
