FQD19N10LTM Tranzystor N-MOSFET x1szt
Opis
Producent = ONSEMI; Montaż = SMD; Obudowa = DPAK; Napięcie dren-źródło = 100V; Prąd drenu = 9,8A; Rezystancja w stanie przewodzenia = 0,11?; Typ tranzystora = N-MOSFET; Moc rozpraszana = 50W; Polaryzacja = unipolarny; Rodzaj opakowania = taśma, rolka; Ładunek bramki = 18nC; Technologia = QFET®; Rodzaj kanału = wzbogacany; Napięcie bramka-źródło = ±20V
